글쓴이 : SOONDORI
프론트-엔드에 문제가 있다는 판단이 들어 작심하고 모듈을 분리했다. 처음 하는 일이지만… 그저 핀 10개 짜리 패키지 IC하나 뜯어내는 것쯤으로 간주하면 아무 일도 아니다. 동작환경을 만들어야 고장 부위를 찾을 수 있으므로 각 핀들을 그대로 메인보드에 연결하였다.
(10개 핀을 순서대로 와이어링)
모듈분리 직후 한 일은 냉땜검사. 큰 영향은 없으리라 생각되지만 시각적으로 꽤 어색한 포인트들을 발견했다. 공장 Dipping 과정에서 불량이 발생했을 듯한데… 신뢰의 ALPS가 이렇게 대충대충 했다는 게 납득이 안된다.
(불량스러워보이는 납땜 포인트들)
트랜지스터들, 다이오드들을 모두 분리하고 개별 테스트하였다. 모두 정상이다. 마운트된 상태에서 트랜지스터들(TR #1, #2)의 Vbe는 0.7V 수준으로 정상, 선국하는 바에 따라 Varactor들(#1, #2)의 Control V+이 변하므로 정상으로 추정. 추정? 컨트롤 전압의 변화가 Varactor의 ‘전압 대 용량 변화’를 확실히 보장하는 것은 아니다.
Toshiba K241 N-Channel FET의 경우 Drain 핀 전압 약 10V. Source핀은 GND 연결되어 있으므로 당연히 0V. Gate 핀에는 아무 것도 걸리는 게 없다. FET 게이트 전압을 공급하는 쪽(화살표 두 곳)의 문제일 가능성이 있겠고 그것을 확인하려면 쉴드 CAN 안쪽으로 더 들어가야 한다.
마치 러시아 ‘마트료시카 인형’을 보는 듯한 상황이다. 튜너 뚜껑을 열었더니 작은 모듈이 문제라 하고 그 모듈을 열었더니 그 안쪽이 문제라고 하는 식.
(출처 : http://cfile25.uf.tistory.com/image/1261EB4F4F30E5CF1405C9)
실드 캔 한쪽 구석을 보려면 뭉쳐 있는 여러 곳 땜들을 들어내야 하는, 아무래도 심히 부담스러운 작업을 해야 하는데… 덤비기 어렵다. 그래서 FET를 분리하고 Fluke 187 멀티미터(*)로 1) Gate~Drain, 2) Gate~Souce의 순방향/역방향 저항값들을 확인하였다. 1)은 양쪽 모두 무한대, 2)도 무한대.
* 계측기 내부전압에 따라 소자 반응이 달라질 수 있다.
뭐가 좀 이상하다? 3) 이번엔 Drain~Souce 저항값을 검사. 순방향/역방향 모두 60오움~200오움 대, 드레인~소스 저항이 단락에 근접하는 정도에서, 그것도 오락가락이라니… 아무래도 이 FET는 불량이다. 프론트-엔드 초단에 쓰이는 FET가 제대로 작동하지 않으면 그 뒤의 모든 것들은 있으나 마나일 것이고 딱히 할 게 없는 시그널 미터는 잠잠할 수밖에.
이러고 저러고 할 것 없이 신품 구해서 교환해야겠다. 99.9% 확률로 수리가 될 것이라 기대함.
(내용추가) 확실할가? 미심쩍어 시도했던 또다른 방법론. 멀티미터를 ‘다이오드 측정모드’로 하고 1) Drain에 적색리드, 2) Source에 흑색리드를 연결한다. 잠잠하면 정상품. 왜냐하면 드레인~소스는 두 다이오드가 서로 머리를 맞대고 있는 구조이기에 때문이다. 반면에 이 부품처럼 0.11V 등 전류흐흠 즉, 환산된 라인전압이 감지되면 불량품. 더 적자면… 정상품에 한하여 Gate에 잠시 적색리드을 연결(Charging)하고 다시 Drain~Source를 측정할 때 Gate~Source의 정전용량 때문에 잠시 도통상태처럼 반응한다.
* 관련 글 : Yamaha TX-550 튜너 수리 (3), MOS FET 대체 등
