글쓴이 : SOONDORI
알레프 영(0, Null).
4면을 방열판으로 도배한, 켜 놓은 채로 한 시간쯤 기다리면 디폴트 기기 온도가 50~60도까지 올라간다는, 정사각형 모노블록의, 커플링 커패시터가 없는, 완전한 DC to DC 증폭기이다.
넬슨 패스가 쓰레숄드를 나와서 차린 패스 랩(Pass Lab)에서 제작.
입력 RCA/XLR, Gain 약 20dB, THD 1% 이하, Damping Factor 400@8오움, 1992년. 304.8mm × 304.8 × 266.7, 30.8Kg, 1992년.
(이상 출처 : https://www.hifido.co.jp/sold/10-49217-57940-00.html?LNG=E)
그나저나 왜 이렇게 만드셨을꼬? 6면 밀폐에, 통기구도 없으니… 80도 이상에서 동작을 차단해도 문제.
(출처 : https://www.diyaudio.com/community/threads/pass-aleph-0s-how-to-disassemble-assemble-it-to-replace-power-capacitors.243338/)
다음은, 토이 팹 님의 이메일에 담긴, 도서 ‘소리의 황홀(저자 유광준)’이 설명하는 내용이다.
“… 이 회로의 장점을 실현시키기 위해선 앰프 내부의 배선을 최소화시켜야 했다. 배선의 길이에서 오는 음질의 손상조차 용납할 수 없었던 것이다. 모든 것을 단순하게 구성하고 최소한의 필요한 구조를 갖는 샤시가 필요했다. 앰프 작동 시 생기는 열을 발산하기 위한 방열판 자체를 샤시의 몸체로 사용하는 디자인이 만들어졌다. 패스의 첫 제품은 과연 넬슨 패스다운 기발함을 담고 있다. 사면에 방열판이 그대로 드러난다. 정육면체 모양의 알레프다…”
글쎄요? 배선 단축이 주는 영향이 얼마나 유의미한지가 갸우뚱인데… 꿈보다 해몽 아닐까? 차치하고, 구조적 형상만큼은 넬슨 패스 씨께서 너무 욕심을 부리셨다. 밀폐 박스 안에서 400W를? 무엇보다… 30년, 50년 후의 빈티지 소비자는 어찌하라고?
이런 식으로 생활 가전의 경계를 허물면, 남들도 들이밀 것이 많다.
(▲ 1993년~1994년 중 알레프 0S 버전의 도면 중 하나. ‘0’도 있고 ‘0S’도 있고 다른 숫자도 있고. 어떤 숫자 밑에 소소하게 수정한 도면들이 있고…)
그나저나 왜 알레프일까? 키우던 강아지 이름?
알레프 수(Aleph Number)라는 것이 있는데 그것에서 유래된 것이 아닐까 싶다. 이 파워 앰프 작명에 투영하면, n차 고조파의 개수 즉, 하모닉(Harmonic)이 제로라는 뜻이 된다. 열반에 드신 부처님이 듣고 계시는 ‘Pure Sound’ 노랫가락과 같은 것.
이후로, Aleph 3, Alelph 5, Aleph 30… “어 숫자가 높아지네?” 갈수록 하모닉 망조가 된다는 게 아니라, 그냥 어쩔 수 없이 붙이던 모델 연변이… (표제부 사진 출처 : https://www.stereophile.com/content/pass-laboratories-aleph-0-monoblock-power-amplifier)
* 관련 글 : 넬슨 패스의 Aleph P 프리앰프
게시판 글 문체의 사용자 매뉴얼에서,
“… Aleph 0은 모든 게인 스테이지에 대해 독점적으로 International Rectifier Hexfet Power MOSFET을 사용합니다. 이 MOSFET은 비대칭 클래스 A 설계에 가장 이상적인 전달 곡선을 갖기 때문에 선택되었습니다. 미국에서 제작된 이 제품은 현재까지 테스트한 최고 품질의 전력 MOSFET을 보유하고 있습니다. 입력 장치를 서로 0.2% 이내로 일치시키고, 출력 장치를 2% 이내로 일치시킵니다. 이들 중 가장 작은 입력 장치는 2A의 피크 전류를 처리할 수 있습니다. 가장 큰 것은 각각 25A의 피크를 낼 수 있으며 4개의 병렬 뱅크에서 실행됩니다. Aleph 0의 전력 MOSFET은 칩 온도 등급이 섭씨 150도에 달하며 일반적으로 등급의 20%에 해당하는 작은 비율로 작동합니다. 수명 연장을 위해 칩 온도가 80°C를 초과하는 것을 허용하지 않습니다. 게인 장치의 유형에 관계없이 최대한 자연스러운 재현이 가능한 시스템에서는 목표는 간단한 단일 종단 클래스 A 회로를 선택하는 토폴로지입니다…”
“…The Aleph 0 uses International Rectifier Hexfet Power Mosfets exclusively for all gain stages. These Mosfets were chosen because they have the most ideal transfer curve for an asymmetric Class A design. Made in the United States, they have the highest quality of power Mosfets we have tested to date. We match the input devices to each other to within 0.2% and the output devices to within 2%. The smallest of these, the input devices, are capable of peak currents of 2 amps. The largest are capable of peaks of 25 amps each, and are run in parallel banks of four. The power Mosfets in the Aleph 0 have chip temperatures ratings to 150 degrees Centigrade, and we operate them at small fractions, typically 20% of their ratings. For extended life, we do not allow chip temperatures to exceed 80 degrees C. Regardless of the type of gain device, in systems where the utmost in natural reproduction is the goal, simple single ended Class A circuits are the topologies of choice…”
