Power IGBT에 대한 이야기
글쓴이 : SOONDORI 절연 게이트 트랜지스터(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)는 트랜지스터 구조를 수정(*)하여 트랜지스터의 장점을 취하고 MOSFET와 비슷한 속성을 얻어냈다는 점에서 양자의 중간적 존재라고 생각한다. * 1977년 GE社와 Jayant Baliga의 협업으로 소개.
Read More글쓴이 : SOONDORI 절연 게이트 트랜지스터(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)는 트랜지스터 구조를 수정(*)하여 트랜지스터의 장점을 취하고 MOSFET와 비슷한 속성을 얻어냈다는 점에서 양자의 중간적 존재라고 생각한다. * 1977년 GE社와 Jayant Baliga의 협업으로 소개.
Read More글쓴이 : SOONDORI 1600V 내압의, 미제 BiMOSFET(*) IGBT. 1983년에 설립된 IXYS社가 뒷골목 가내 수공업 회사도 아닐 것인데 레이저 마킹이 아닌 페인트 인쇄에, 그마저 흐릿하고, 맴돌이 사각형 로고가 없다는 점은... 아주 많이 의심스럽다. *
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