절연 게이트 트랜지스터

Power IGBT에 대한 이야기

글쓴이 : SOONDORI 절연 게이트 트랜지스터(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)는 트랜지스터 구조를 수정(*)하여 트랜지스터의 장점을 취하고 MOSFET와 비슷한 속성을 얻어냈다는 점에서 양자의 중간적 존재라고 생각한다. * 1977년 GE社와 Jayant Baliga의 협업으로 소개.

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